Товар опубликован в разделах:


SSM3J332R

Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -6А; 1Вт; SOT23F

Характеристики

Общие
Производитель TOSHIBA
Монтаж SMD
Рассеиваемая мощность 1Вт
Заряд затвора 8,2нC
Полярность полевой
Характеристики полупроводниковых элементов ESD protected gate
Ток стока -6А
Напряжение сток-исток -30В
Тип транзистора P-MOSFET
Вид упаковки бобина
Вид упаковки лента
Корпус SOT23F
Сопротивление в открытом состоянии 144мОм
Напряжение затвор-исток ±12В
  • Производитель: TOSHIBA
  • Модель: SSM3J332R
  • Цена от
Количество:

Материалы на сайте носят информационный характер, не является публичной офертой