Товар опубликован в разделах:
SCT50N120
Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 50А; 318Вт; HIP247™
Характеристики
| Общие | |
|---|---|
| Производитель | ST MICROELECTRONICS |
| Вид упаковки | туба |
| Рассеиваемая мощность | 318Вт |
| Заряд затвора | 122нC |
| Полярность | полевой |
| Технология | SiC |
| Технология | SiCFET |
| Ток стока | 50А |
| Напряжение сток-исток | 1,2кВ |
| Тип транзистора | N-MOSFET |
| Корпус | HIP247™ |
| Сопротивление в открытом состоянии | 70мОм |
| Напряжение затвор-исток | -10...25В |
| Монтаж | THT |