Товар опубликован в разделах:


SCT20N120

Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 16А; 175Вт; HIP247™

Характеристики

Общие
Производитель ST MICROELECTRONICS
Вид упаковки туба
Рассеиваемая мощность 175Вт
Заряд затвора 45нC
Полярность полевой
Технология SiC
Технология SiCFET
Ток стока 16А
Напряжение сток-исток 1,2кВ
Тип транзистора N-MOSFET
Корпус HIP247™
Сопротивление в открытом состоянии 220мОм
Напряжение затвор-исток -10...25В
Монтаж THT
  • Цена от
Количество:

Материалы на сайте носят информационный характер, не является публичной офертой