Товар опубликован в разделах:
NE5517DG
Transconductance amplifier; 2MHz; Channels: 2; Uoper: 4÷44V; SO16
Характеристики
Общие | |
---|---|
Производитель | ON SEMICONDUCTOR |
Монтаж | SMD |
Рабочая температура | 0...70°C |
Входное напряжение смещения | 5мВ |
Скорость нарастания напряжения | 50В/мкс |
Тип микросхемы | transconductance amplifier |
Рассеиваемая мощность | 1125мВт |
Вид упаковки | туба |
Корпус | SO16 |
Кол-во каналов | 2 |
Рабочее напряжение | 4...44В |
Полоса передаваемых частот | 2МГц |