Товар опубликован в разделах:
MSMLJ51AE3
Диод: защитный; 3кВт; 59,7В; 36,4А; однонаправленный; ±5%; DO214AB
Характеристики
| Общие | |
|---|---|
| Производитель | MICROSEMI |
| Рассеиваемая мощность | 3кВт |
| Обратное напряжение макс. | 51В |
| Конструкция диода | однонаправленный |
| Ток утечки | 2мкА |
| Корпус | DO214AB |
| Тип диода | защитный |
| Погрешность | ±5% |
| Монтаж | SMD |
| Напряжение пробоя | 59,7В |
| Импульсный ток | 36,4А |