Товар опубликован в разделах:
Полупроводники и аксессуары > Транзисторы > Транзисторы и модули IGBT > Модули IGBT
Полупроводники и аксессуары > Транзисторы > Транзисторы и модули IGBT > Модули IGBT
MG12150D-BA1MM Модуль: IGBT, 1,2кВ, 150А, 1,1кВт, package D
Полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ; Ic: 150А; package D; винтами; винтами
Файлы документации
Характеристики
| Общие | |
|---|---|
| Время включения | 225нс |
| Время выключения | 570нс |
| Код завода | MG12150D-BA1MM |
| Корпус | package D |
| Монтаж | винт M6 |
| Мощность | 1.1кВт |
| Напряжение затвор - эмиттер | 20В |
| Напряжение коллектор-эмиттер | 1.2кВ |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 2В |
| Тип модуля | IGBT |
| Ток коллектора | 150А |
| Ток коллектора в импульсе | 300А |
| Рабочая температура | -40...150°C |