Товар опубликован в разделах:


IXXX110N65B4H1

Транзистор: IGBT; GenX4™; 650В; 110А; 880Вт; PLUS247™

Характеристики

Общие
Производитель IXYS
Тип транзистора IGBT
Технология GenX4™
Технология Trench
Технология XPT™
Напряжение коллектор-эмиттер 650В
Ток коллектора 110А
Рассеиваемая мощность 880Вт
Корпус PLUS247™
Напряжение затвор - эмиттер ±20В
Ток коллектора в импульсе 570А
Монтаж THT
Заряд затвора 183нC
Вид упаковки туба
Время включения 65нс
Время выключения 250нс
  • Производитель: IXYS
  • Модель: IXXX110N65B4H1
  • Цена от
Количество:

Материалы на сайте носят информационный характер, не является публичной офертой