Товар опубликован в разделах:
Полупроводники и аксессуары > Транзисторы > Транзисторы униполярные > Транзисторы с каналом типа N > Транзисторы с каналом N SMD
Полупроводники и аксессуары > Транзисторы > Транзисторы униполярные > Транзисторы с каналом типа N > Транзисторы с каналом N SMD
IRFR9N20DPBF - Транзистор: МОП n-канальный, полевой, HEXFET, 200В, 9,4А, 86Вт
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 200В; 9,4А; 86Вт; DPAK
Файлы документации
Характеристики
| Общие | |
|---|---|
| Transistor kind | HEXFET |
| Заряд затвора | 18нC |
| Код завода | IRFR9N20DPBF |
| Корпус | DPAK |
| Монтаж | SMD |
| Мощность | 86Вт |
| Напряжение затвор-исток | 30В |
| Напряжение сток-исток | 200В |
| Полярность | полевой |
| Сопротивление в открытом состоянии | 380мОм |
| Тепловое сопротивление переход-корпус | 1.75К/Вт |
| Тип транзистора | МОП n-канальный |
| Ток стока | 9.4А |