Товар опубликован в разделах:
Полупроводники и аксессуары > Транзисторы > Транзисторы униполярные > Транзисторы с каналом типа P > Транзисторы с каналом P THT
Полупроводники и аксессуары > Транзисторы > Транзисторы униполярные > Транзисторы с каналом типа P > Транзисторы с каналом P THT
IRF5210PBF - Транзистор: МОП р-канальный, полевой, HEXFET, -100В, -40А, 200Вт
Транзистор: P-MOSFET; полевой; -100В; -40А; 200Вт; TO220AB
Файлы документации
Характеристики
| Общие | |
|---|---|
| Transistor kind | HEXFET |
| Заряд затвора | 120нC |
| Код завода | IRF5210PBF |
| Корпус | TO220AB |
| Монтаж | THT |
| Мощность | 200Вт |
| Напряжение затвор-исток | 20В |
| Напряжение сток-исток | -100В |
| Полярность | полевой |
| Сопротивление в открытом состоянии | 60мОм |
| Тепловое сопротивление переход-корпус | 750мК/Вт |
| Тип транзистора | МОП р-канальный |
| Ток стока | -40А |