Товар опубликован в разделах:
IPT029N08N5
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 80В; 120А; 167Вт; PG-HSOF-8-1
Характеристики
| Общие | |
|---|---|
| Производитель | INFINEON TECHNOLOGIES |
| Сопротивление в открытом состоянии | 2,9мОм |
| Напряжение затвор-исток | ±20В |
| Монтаж | SMD |
| Рассеиваемая мощность | 167Вт |
| Заряд затвора | 70нC |
| Полярность | полевой |
| Технология | OptiMOS™ 5 |
| Ток стока | 120А |
| Вид канала | обогащенный |
| Напряжение сток-исток | 80В |
| Тип транзистора | N-MOSFET |
| Корпус | PG-HSOF-8-1 |