Товар опубликован в разделах:


IPN80R4K5P7

Транзистор: N-MOSFET; полевой; 800В; 1А; 6Вт; PG-SOT223

Характеристики

Общие
Производитель INFINEON TECHNOLOGIES
Тип транзистора N-MOSFET
Технология CoolMOS™ P7
Полярность полевой
Напряжение сток-исток 800В
Ток стока
Рассеиваемая мощность 6Вт
Корпус PG-SOT223
Напряжение затвор-исток ±20В
Сопротивление в открытом состоянии 4500мОм
Монтаж SMD
Заряд затвора 4нC
Вид упаковки бобина
Характеристики полупроводниковых элементов ESD protected gate
  • Цена от
Количество:

Материалы на сайте носят информационный характер, не является публичной офертой