Товар опубликован в разделах:


IPN80R3K3P7

Транзистор: N-MOSFET; полевой; 800В; 1,3А; 6,1Вт; PG-SOT223

Характеристики

Общие
Производитель INFINEON TECHNOLOGIES
Тип транзистора N-MOSFET
Технология CoolMOS™ P7
Полярность полевой
Напряжение сток-исток 800В
Ток стока 1,3А
Рассеиваемая мощность 6,1Вт
Корпус PG-SOT223
Напряжение затвор-исток ±20В
Сопротивление в открытом состоянии 3300мОм
Монтаж SMD
Заряд затвора 6нC
Вид упаковки бобина
Характеристики полупроводниковых элементов ESD protected gate
  • Цена от
Количество:

Материалы на сайте носят информационный характер, не является публичной офертой