Товар опубликован в разделах:
IPN80R1K2P7
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 800В; 3,1А; 6,8Вт; PG-SOT223
Характеристики
| Общие | |
|---|---|
| Производитель | INFINEON TECHNOLOGIES |
| Тип транзистора | N-MOSFET |
| Технология | CoolMOS™ P7 |
| Полярность | полевой |
| Напряжение сток-исток | 800В |
| Ток стока | 3,1А |
| Рассеиваемая мощность | 6,8Вт |
| Корпус | PG-SOT223 |
| Напряжение затвор-исток | ±20В |
| Сопротивление в открытом состоянии | 1200мОм |
| Монтаж | SMD |
| Заряд затвора | 11нC |
| Вид упаковки | бобина |
| Характеристики полупроводниковых элементов | ESD protected gate |