Товар опубликован в разделах:
IPDD60R102G7XTMA1
Транзистор: N-MOSFET; CoolMOS™ G7; полевой; 600В; 23А; Idm: 66А
Характеристики
| Общие | |
|---|---|
| Производитель | INFINEON TECHNOLOGIES |
| Тип транзистора | N-MOSFET |
| Технология | CoolMOS™ G7 |
| Полярность | полевой |
| Напряжение сток-исток | 600В |
| Ток стока | 23А |
| Ток стока в импульсном режиме | 66А |
| Рассеиваемая мощность | 139Вт |
| Корпус | PG-HDSOP-10-1 |
| Напряжение затвор-исток | ±20В |
| Сопротивление в открытом состоянии | 102мОм |
| Монтаж | SMD |
| Заряд затвора | 34нC |
| Вид упаковки | бобина |
| Вид упаковки | лента |
| Вид канала | обогащенный |