Товар опубликован в разделах:
IPD95R1K2P7
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 950В; 3,7А; 52Вт; DPAK
Характеристики
| Общие | |
|---|---|
| Производитель | INFINEON TECHNOLOGIES |
| Тип транзистора | N-MOSFET |
| Технология | CoolMOS™ P7 |
| Полярность | полевой |
| Напряжение сток-исток | 950В |
| Ток стока | 3,7А |
| Рассеиваемая мощность | 52Вт |
| Корпус | DPAK |
| Напряжение затвор-исток | ±20В |
| Сопротивление в открытом состоянии | 1200мОм |
| Монтаж | SMD |
| Заряд затвора | 15нC |
| Вид упаковки | бобина |
| Характеристики полупроводниковых элементов | ESD protected gate |