Товар опубликован в разделах:
IPD80R3K3P7
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 800В; 1,3А; 18Вт; PG-TO252-3
Характеристики
| Общие | |
|---|---|
| Производитель | INFINEON TECHNOLOGIES |
| Тип транзистора | N-MOSFET |
| Технология | CoolMOS™ P7 |
| Полярность | полевой |
| Напряжение сток-исток | 800В |
| Ток стока | 1,3А |
| Рассеиваемая мощность | 18Вт |
| Корпус | PG-TO252-3 |
| Напряжение затвор-исток | ±20В |
| Сопротивление в открытом состоянии | 3,3Ом |
| Монтаж | SMD |
| Заряд затвора | 6нC |
| Характеристики полупроводниковых элементов | ESD protected gate |