Товар опубликован в разделах:
IPD50N06S4L12
Транзистор: N-MOSFET; OptiMOS™ T2; полевой; 60В; 36А; 50Вт
Характеристики
Общие | |
---|---|
Производитель | INFINEON TECHNOLOGIES |
Тип транзистора | N-MOSFET |
Технология | OptiMOS™ T2 |
Полярность | полевой |
Напряжение сток-исток | 60В |
Ток стока | 36А |
Рассеиваемая мощность | 50Вт |
Корпус | PG-TO252-3 |
Напряжение затвор-исток | ±16В |
Сопротивление в открытом состоянии | 12мОм |
Монтаж | SMD |
Заряд затвора | 30нC |