Товар опубликован в разделах:
IPB100N04S303
Транзистор: N-MOSFET; OptiMOS™ T; полевой; 40В; 100А; 214Вт
Характеристики
| Общие | |
|---|---|
| Производитель | INFINEON TECHNOLOGIES |
| Тип транзистора | N-MOSFET |
| Технология | OptiMOS™ T |
| Полярность | полевой |
| Напряжение сток-исток | 40В |
| Ток стока | 100А |
| Рассеиваемая мощность | 214Вт |
| Корпус | PG-TO263-3 |
| Напряжение затвор-исток | ±20В |
| Сопротивление в открытом состоянии | 2,5мОм |
| Монтаж | SMD |
| Заряд затвора | 110нC |