Товар опубликован в разделах:
Полупроводники и аксессуары > Транзисторы > Транзисторы униполярные > Транзисторы с каналом типа N > Транзисторы с каналом N SMD
Полупроводники и аксессуары > Транзисторы > Транзисторы униполярные > Транзисторы с каналом типа N > Транзисторы с каналом N SMD
IPB083N10N3GATMA1 Транзистор: МОП n-канальный, полевой, 100В, 80А, 125Вт, PG-TO263-3
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 80А; 125Вт; PG-TO263-3
Файлы документации
Характеристики
| Общие | |
|---|---|
| Код завода | IPB083N10N3GATMA1 |
| Корпус | PG-TO263-3 |
| Монтаж | SMD |
| Мощность | 125Вт |
| Напряжение затвор-исток | ±20В |
| Напряжение сток-исток | 100В |
| Полярность | полевой |
| Сопротивление в открытом состоянии | 8.3мОм |
| Технология | OptiMOS™ 3 |
| Тип транзистора | МОП n-канальный |
| Ток стока | 80А |