Товар опубликован в разделах:


HGTG5N120BND

Транзистор: IGBT; 1,2кВ; 10А; 167Вт; TO247-3

Характеристики

Общие
Производитель ON SEMICONDUCTOR
Ток коллектора в импульсе 40А
Тип транзистора IGBT
Вид упаковки туба
Корпус TO247-3
Напряжение затвор - эмиттер ±20В
Ток коллектора 10А
Монтаж THT
Напряжение коллектор-эмиттер 1,2кВ
Рассеиваемая мощность 167Вт
Заряд затвора 72нC
  • Цена от
Количество:

Материалы на сайте носят информационный характер, не является публичной офертой