Товар опубликован в разделах:


GT50JR22

Транзистор: IGBT; 600В; 44А; 115Вт; TO3PN

Характеристики

Общие
Производитель TOSHIBA
Напряжение коллектор-эмиттер 600В
Рассеиваемая мощность 115Вт
Ток коллектора в импульсе 100А
Тип транзистора IGBT
Время включения 250нс
Вид упаковки туба
Корпус TO3PN
Время выключения 330нс
Напряжение затвор - эмиттер ±25В
Ток коллектора 44А
Монтаж THT
  • Производитель: TOSHIBA
  • Модель: GT50JR22
  • Цена от
Количество:

Материалы на сайте носят информационный характер, не является публичной офертой