Товар опубликован в разделах:
DMN1019UFDE-7
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 12В; 5А; 0,69Вт; U-DFN2020-6
Характеристики
| Общие | |
|---|---|
| Производитель | DIODES INCORPORATED |
| Монтаж | SMD |
| Корпус | U-DFN2020-6 |
| Полярность | полевой |
| Вид упаковки | бобина |
| Вид упаковки | лента |
| Тип транзистора | N-MOSFET |
| Сопротивление в открытом состоянии | 41мОм |
| Напряжение затвор-исток | ±8В |
| Рассеиваемая мощность | 0,69Вт |
| Характеристики полупроводниковых элементов | ESD protected gate |
| Ток стока | 5А |
| Вид канала | обогащенный |
| Напряжение сток-исток | 12В |