Товар опубликован в разделах:
DACMI160N1200-DCO
Модуль; одиночный транзистор; Uds: 1,2кВ; Id: 110А; SOT227B; 580Вт
Характеристики
| Общие | |
|---|---|
| Производитель | DACO Semiconductor |
| Монтаж | винтами |
| Электрический монтаж | винтами |
| Рабочая температура | -55...150°C |
| Корпус | SOT227B |
| Полярность | полевой |
| Рассеиваемая мощность | 580Вт |
| Технология | SiC |
| Ток стока | 110А |
| Напряжение сток-исток | 1,2кВ |
| Тип модуля | транзисторный |
| Конструкция диода | одиночный транзистор |
| Сопротивление в открытом состоянии | 20мОм |
| Напряжение затвор-исток | -5...20В |
| Ток стока в импульсном режиме | 400А |