AS6C8016-55ZIN - Микросхема памяти, SRAM, 512Кx16бит, 2,7÷5,9В, 55нс, TSOP44 II

  • AS6C8016-55ZIN - 228x228

Память; SRAM,асинхронная; 512Кx16бит; 2,7÷5,9В; 55нс; TSOP44 II

Файлы документации

Характеристики

Общие
Вид памяти SRAM
Время доступа 55нс
Емкость памяти 8Мбит
Код завода AS6C8016-55ZIN
Корпус TSOP44 II
Монтаж SMD
Рабочее напряжение 2.7...5.9В
Структура памяти 512Кx16бит
Тип микросхемы микросхема памяти
  • Цена от
Количество:

Материалы на сайте носят информационный характер, не является публичной офертой