AS6C2008-55BIN - Микросхема памяти, SRAM, 256Кx8бит, 3÷3,6В, 55нс, TFBGA36

Память; SRAM,асинхронная; 256Кx8бит; 3÷3,6В; 55нс; TFBGA36

Файлы документации

Характеристики

Общие
Вид памяти SRAM
Время доступа 55нс
Емкость памяти 2Мбит
Код завода AS6C2008-55BIN
Корпус TFBGA36
Монтаж SMD
Рабочее напряжение 3...3.6В
Структура памяти 256Кx8бит
Тип микросхемы микросхема памяти
  • Цена от
Количество:

Материалы на сайте носят информационный характер, не является публичной офертой