Товар опубликован в разделах:


APT5017BVRG

Транзистор: N-MOSFET; полевой; 500В; 30А; 370Вт; TO247

Характеристики

Общие
Производитель MICROSEMI
Корпус TO247
Монтаж THT
Сопротивление в открытом состоянии 170мОм
Вид упаковки туба
Рассеиваемая мощность 370Вт
Заряд затвора 300нC
Полярность полевой
Технология POWER MOS V®
Ток стока 30А
Напряжение сток-исток 500В
Тип транзистора N-MOSFET
Напряжение затвор-исток ±30В
  • Производитель: MICROSEMI
  • Модель: APT5017BVRG
  • Цена от
Количество:

Материалы на сайте носят информационный характер, не является публичной офертой