IRFSL59N10DPBF - Транзистор: МОП n-канальный, полевой, HEXFET, 100В, 59А, 200Вт

  • IRFSL59N10DPBF - 228x228

Масса брутто: 0.43 g Групповая упаковка [pcs]: 50

Характеристики

Общие
Transistor kind HEXFET
Код завода IRFSL59N10DPBF
Корпус TO262
Мощность 200Вт
Напряжение сток-исток 100В
Полярность полевой
Тип транзистора МОП n-канальный
Ток стока 59А
  • Производитель: INFINEON (IRF)
  • Модель: IRFSL59N10DPBF
  • Цена от
Количество:

Материалы на сайте носят информационный характер, не является публичной офертой