Товар опубликован в разделах:
Полупроводники и аксессуары > Транзисторы > Транзисторы униполярные > Транзисторы с каналом типа N > Транзисторы с каналом N SMD
Полупроводники и аксессуары > Транзисторы > Транзисторы униполярные > Транзисторы с каналом типа N > Транзисторы с каналом N SMD
IRF8313PBF - Транзистор: МОП n-канал.x2, полевой, HEXFET, 30В, 9,7А, 2Вт, SO8
Масса брутто: 0.18 g Групповая упаковка [pcs]: 380
Файлы документации
Характеристики
| Общие | |
|---|---|
| Transistor kind | HEXFET |
| Заряд затвора | 6нC |
| Код завода | IRF8313PBF |
| Корпус | SO8 |
| Монтаж | SMD |
| Мощность | 2Вт |
| Напряжение затвор-исток | 20В |
| Напряжение сток-исток | 30В |
| Полярность | полевой |
| Сопротивление в открытом состоянии | 15.5мОм |
| Тепловое сопротивление переход-среда | 62.5К/Вт |
| Тип транзистора | N-MOSFET x2 |
| Ток стока | 9.7А |