Infineon (IRF) - IRF8113PBF

Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 16,6А; 2,5Вт; SO8

Файлы документации

Характеристики

Общие
Transistor kind HEXFET
Заряд затвора 24нC
Код завода IRF8113PBF
Корпус SO8
Монтаж SMD
Мощность 2.5Вт
Напряжение затвор-исток 20В
Напряжение сток-исток 30В
Полярность полевой
Сопротивление в открытом состоянии 6мОм
Тепловое сопротивление переход-среда 50К/Вт
Тип транзистора МОП n-канальный
Ток стока 16.6А
  • Цена от
Количество:

Материалы на сайте носят информационный характер, не является публичной офертой