Товар опубликован в разделах:
Полупроводники и аксессуары > Транзисторы > Транзисторы униполярные > Транзисторы с каналом типа N > Транзисторы с каналом N SMD
Полупроводники и аксессуары > Транзисторы > Транзисторы униполярные > Транзисторы с каналом типа N > Транзисторы с каналом N SMD
IRF7807VPBF - Транзистор: МОП n-канальный, полевой, HEXFET, 30В, 8,3А, 2,5Вт, SO8
Масса брутто: 1.93 g Групповая упаковка [pcs]: 40
Файлы документации
Характеристики
| Общие | |
|---|---|
| Transistor kind | HEXFET |
| Заряд затвора | 9.5нC |
| Код завода | IRF7807VPBF |
| Корпус | SO8 |
| Монтаж | SMD |
| Мощность | 2.5Вт |
| Напряжение затвор-исток | 20В |
| Напряжение сток-исток | 30В |
| Полярность | полевой |
| Сопротивление в открытом состоянии | 25мОм |
| Тепловое сопротивление переход-среда | 50К/Вт |
| Тип транзистора | МОП n-канальный |
| Ток стока | 8.3А |