Товар опубликован в разделах:
Полупроводники и аксессуары > Транзисторы > Транзисторы униполярные > Транзисторы с каналом типа N > Транзисторы с каналом N SMD
Полупроводники и аксессуары > Транзисторы > Транзисторы униполярные > Транзисторы с каналом типа N > Транзисторы с каналом N SMD
IRF7779L2TR1PBF - Транзистор: МОП n-канальный, полевой, HEXFET, 150В, 67А, 125Вт
Масса брутто: 0.41 g Групповая упаковка [pcs]: 30
Характеристики
Общие | |
---|---|
Transistor kind | HEXFET |
Заряд затвора | 97нC |
Код завода | IRF7779L2TR1PBF |
Корпус | DirectFET |
Монтаж | SMD |
Мощность | 125Вт |
Напряжение затвор-исток | 20В |
Напряжение сток-исток | 150В |
Полярность | полевой |
Сопротивление в открытом состоянии | 11мОм |
Тепловое сопротивление переход-корпус | 1.2К/Вт |
Тип транзистора | МОП n-канальный |
Ток стока | 67А |