IRF7779L2TR1PBF - Транзистор: МОП n-канальный, полевой, HEXFET, 150В, 67А, 125Вт

  • IRF7779L2TR1PBF - 228x228

Масса брутто: 0.41 g Групповая упаковка [pcs]: 30

Характеристики

Общие
Transistor kind HEXFET
Заряд затвора 97нC
Код завода IRF7779L2TR1PBF
Корпус DirectFET
Монтаж SMD
Мощность 125Вт
Напряжение затвор-исток 20В
Напряжение сток-исток 150В
Полярность полевой
Сопротивление в открытом состоянии 11мОм
Тепловое сопротивление переход-корпус 1.2К/Вт
Тип транзистора МОП n-канальный
Ток стока 67А
  • Производитель: INFINEON (IRF)
  • Модель: IRF7779L2TR1PBF
  • Цена от
Количество:

Материалы на сайте носят информационный характер, не является публичной офертой