Товар опубликован в разделах:
Полупроводники и аксессуары > Транзисторы > Транзисторы униполярные > Транзисторы с каналом типа N > Транзисторы с каналом N SMD
Полупроводники и аксессуары > Транзисторы > Транзисторы униполярные > Транзисторы с каналом типа N > Транзисторы с каналом N SMD
IRF7343PBF - Транзистор: МОП n+p-канал.x2, полевой, HEXFET, 55В, 4,7А, 2Вт, SO8
Масса брутто: 0.16 g Групповая упаковка [pcs]: 95
Файлы документации
Характеристики
| Общие | |
|---|---|
| Transistor kind | HEXFET |
| Заряд затвора | 24 (N)/26 (P)нC |
| Код завода | IRF7343PBF |
| Корпус | SO8 |
| Монтаж | SMD |
| Мощность | 2Вт |
| Напряжение затвор-исток | 20В |
| Напряжение сток-исток | 55В |
| Полярность | полевой |
| Сопротивление в открытом состоянии | 50мОм |
| Тепловое сопротивление переход-среда | 62.5К/Вт |
| Тип транзистора | N/P-MOSFET x2 |
| Ток стока | 4.7А |