Товар опубликован в разделах:
Полупроводники и аксессуары > Транзисторы > Транзисторы униполярные > Транзисторы с каналом типа N > Транзисторы с каналом N SMD
Полупроводники и аксессуары > Транзисторы > Транзисторы униполярные > Транзисторы с каналом типа N > Транзисторы с каналом N SMD
IRF630NSPBF - Транзистор: МОП n-канальный, полевой, HEXFET, 200В, 9,5А, 82Вт
Масса брутто: 2.33 g Групповая упаковка [pcs]: 20
Файлы документации
Характеристики
| Общие | |
|---|---|
| Transistor kind | HEXFET |
| Заряд затвора | 23.3нC |
| Код завода | IRF630NSPBF |
| Корпус | D2PAK |
| Монтаж | SMD |
| Мощность | 82Вт |
| Напряжение затвор-исток | 20В |
| Напряжение сток-исток | 200В |
| Полярность | полевой |
| Сопротивление в открытом состоянии | 300мОм |
| Тепловое сопротивление переход-корпус | 1.83К/Вт |
| Тип транзистора | МОП n-канальный |
| Ток стока | 9.5А |