Товар опубликован в разделах:
Полупроводники и аксессуары > Интегральные схемы > Память - интегральные схемы > Запомин. уст-ва SRAM - интеграль. схемы > Запоминающие уст-ва SRAM параллельные


AS6C1016-55ZIN - Микросхема памяти, SRAM, 64Кx16бит, 2,7÷5,5В, 55нс, TSOP44 II

  • AS6C1016-55ZIN - 228x228

Характерные особенности: low power synchronous Масса брутто: 1.12 g Групповая упаковка [pcs]: 270

Характеристики

Общие
Вид памяти SRAM
Время доступа 55нс
Емкость памяти 1Мбит
Код завода AS6C1016-55ZIN
Корпус TSOP44 II
Монтаж SMD
Рабочее напряжение 2.7...5.5В
Структура памяти 64Кx16бит
Тип микросхемы микросхема памяти
  • Цена от
Количество:

Материалы на сайте носят информационный характер, не является публичной офертой