Товар опубликован в разделах:
Полупроводники и аксессуары > Интегральные схемы > Память - интегральные схемы > Запомин. уст-ва DRAM - интеграль. схемы
Полупроводники и аксессуары > Интегральные схемы > Память - интегральные схемы > Запомин. уст-ва DRAM - интеграль. схемы
AS4C16M16S-6TIN - Микросхема памяти, SDRAM, 16Mx16бит, 3,3В, 6нс, TSOP54
Масса брутто: 0.43 g Групповая упаковка [pcs]: 108
Характеристики
| Общие | |
|---|---|
| Вид памяти | SDRAM |
| Время доступа | 6нс |
| Емкость памяти | 256Мбит |
| Код завода | AS4C16M16S-6TIN |
| Корпус | TSOP54 |
| Монтаж | SMD |
| Рабочее напряжение | 3.3В |
| Структура памяти | 16Mx16бит |
| Тип микросхемы | микросхема памяти |