Товар опубликован в разделах:
Полупроводники и аксессуары > Интегральные схемы > Память - интегральные схемы > Запомин. уст-ва EEPROM - интегр. схемы > Запоминающ. уст-ва EEPROM последователь.
Полупроводники и аксессуары > Интегральные схемы > Память - интегральные схемы > Запомин. уст-ва EEPROM - интегр. схемы > Запоминающ. уст-ва EEPROM последователь.
25LC640AT-I/MNY - Микросхема памяти, EEPROM, SPI, 8Кx8бит, 2,5÷5,5В, 10МГц, TDFN8
Память; EEPROM; SPI; 8Кx8бит; 2,5÷5,5В; 10МГц; TDFN8
Файлы документации
Характеристики
Общие | |
---|---|
Вид памяти | EEPROM |
Время доступа | 5мс |
Емкость памяти | 64кбит |
Интерфейс | SPI |
Код завода | 25LC640AT-I/MNY |
Количество циклов макс. | 1000000 |
Корпус | TDFN8 |
Монтаж | SMD |
Рабочее напряжение | 2.5...5.5В |
Структура памяти | 8Кx8бит |
Тактовая частота | 10МГц |
Тип микросхемы | микросхема памяти |
Рабочая температура | -40...85°C |