Channel kind
Transistor kind
Вид упаковки
Время включения
Время выключения
Выход
Выходной ток
Заряд затвора
Корпус
Монтаж
Мощность
Напряжение затвор-исток
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение сток-исток
Полярность
Принципиальная схема
Серия
Сопротивление в открытом состоянии
Тепловое сопротивление переход-корпус
Технология
Тип канала
Тип микросхемы
Тип транзистора
Ток коллектора
Ток стока
Производитель
Транзисторы с каналом N THT | Страница: 16
IPB60R299CPATMA1 Транзистор: МОП n-канальный, полевой, 600В, 11А, 96Вт, PG-TO263
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 11А; 96Вт; PG-TO263-3..
по запросу
IPB60R380C6ATMA1 Транзистор: МОП n-канальный, полевой, 600В, 10,6А, 83Вт, PG-TO263
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 10,6А; 83Вт; PG-TO263-3..
по запросу
IPB60R385CPATMA1 Транзистор: МОП n-канальный, полевой, 600В, 9А, 83Вт, PG-TO263
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 9А; 83Вт; PG-TO263-3..
по запросу
IPB60R600C6ATMA1 Транзистор: МОП n-канальный, полевой, 600В, 7,3А, 63Вт, PG-TO263
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 7,3А; 63Вт; PG-TO263-3..
121.68 руб.
IPB60R950C6ATMA1 Транзистор: МОП n-канальный, полевой, 600В, 4,4А, 37Вт, PG-TO263
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 4,4А; 37Вт; PG-TO263-3..
по запросу
IPD60R1K0CEATMA1 Транзистор: МОП n-канальный, полевой, 600В, 4,3А, 37Вт, PG-TO252
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 4,3А; 37Вт; PG-TO252-3..
по запросу
IPD60R1K5CEATMA1 Транзистор: МОП n-канальный, полевой, 600В, 3,1А, 28Вт, PG-TO252
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 3,1А; 28Вт; PG-TO252-3..
по запросу
IPD60R2K0C6BTMA1 Транзистор: МОП n-канальный, полевой, 600В, 2,4А, 22,3Вт, PG-TO252
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 2,4А; 22,3Вт; PG-TO252-3..
по запросу
IPD60R2K1CEBTMA1 Транзистор: МОП n-канальный, полевой, 600В, 2,3А, 22Вт, PG-TO252
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 2,3А; 22Вт; PG-TO252-3..
по запросу
IPD60R385CPBTMA1 Транзистор: МОП n-канальный, полевой, 600В, 9А, 83Вт, PG-TO252
Масса брутто: 0.5 g ..
по запросу
IPD60R3K3C6BTMA1 Транзистор: МОП n-канальный, полевой, 600В, 1,7А, 11,1Вт, PG-TO252
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 1,7А; 11,1Вт; PG-TO252-3..
по запросу
IPD60R400CEATMA1 Транзистор: МОП n-канальный, полевой, 600В, 10,3А, 83Вт, PG-TO252
Масса брутто: 0.5 g Групповая упаковка: 2500 pcs ..
по запросу
IPD60R460CEATMA1 Транзистор: МОП n-канальный, полевой, 600В, 9,1А, 74Вт, PG-TO252
Масса брутто: 0.5 g ..
по запросу
IPD60R650CEATMA1 Транзистор: МОП n-канальный, полевой, 600В, 7А, 63Вт, PG-TO252
Масса брутто: 0.5 g ..
по запросу
IPD60R800CEATMA1 Транзистор: МОП n-канальный, полевой, 600В, 5,6А, 48Вт, PG-TO252
Масса брутто: 0.5 g Групповая упаковка: 2500 pcs ..
49.92 руб.
IPI020N06NAKSA1 Транзистор: МОП n-канальный, полевой, 60В, 120А, 214Вт, OptiMOS™
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 120А; 214Вт; PG-TO262-3..
по запросу
IPI024N06N3GXKSA1 Транзистор: МОП n-канальный, полевой, 60В, 120А, 250Вт, OptiMOS™ 3
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 120А; 250Вт; PG-TO262-3..
по запросу
IPI029N06NAKSA1 Транзистор: МОП n-канальный, полевой, 60В, 100А, 136Вт, OptiMOS™
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 100А; 136Вт; PG-TO262-3..
по запросу
IPI030N10N3GXKSA1 Транзистор: МОП n-канальный, полевой, 100В, 100А, 300Вт, Ugs: ±20В
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 100А; 300Вт; PG-TO262-3..
по запросу
IPI032N06N3GAKSA1 Транзистор: МОП n-канальный, полевой, 60В, 120А, 188Вт, OptiMOS™ 3
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 120А; 188Вт; PG-TO262-3..
по запросу
IPI037N08N3GXKSA1 Транзистор: МОП n-канальный, полевой, 80В, 100А, 300Вт, PG-TO262-3
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 80В; 100А; 300Вт; PG-TO262-3..
248.04 руб.
IPI040N06N3GXKSA1 Транзистор: МОП n-канальный, полевой, 60В, 90А, 188Вт, OptiMOS™ 3
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 90А; 188Вт; PG-TO262-3..
116.22 руб.
IPI041N12N3GAKSA1 Транзистор: МОП n-канальный, полевой, 120В, 120А, 300Вт, Ugs: ±20В
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 120В; 120А; 300Вт; PG-TO262-3..
по запросу
IPI045N10N3GXKSA1 Транзистор: МОП n-канальный, полевой, 100В, 100А, 214Вт, Ugs: ±20В
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 100А; 214Вт; PG-TO262-3..
по запросу
IPI075N15N3GXKSA1 Транзистор: МОП n-канальный, полевой, 150В, 100А, 300Вт, Ugs: ±20В
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 150В; 100А; 300Вт; PG-TO262-3..
по запросу
IPI076N12N3GAKSA1 Транзистор: МОП n-канальный, полевой, 120В, 100А, 168Вт, Ugs: ±20В
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 120В; 100А; 168Вт; PG-TO262-3..
по запросу
IPI084N06L3GXKSA1 Транзистор: МОП n-канальный, полевой, 60В, 50А, 79Вт, OptiMOS™ 3
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 50А; 79Вт; PG-TO262-3..
по запросу
IPI086N10N3GXKSA1 Транзистор: МОП n-канальный, полевой, 100В, 80А, 125Вт, PG-TO262-3
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 80А; 125Вт; PG-TO262-3..
115.44 руб.
IPI110N20N3GAKSA1 Транзистор: МОП n-канальный, полевой, 200В, 63А, 300Вт, PG-TO262-3
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 200В; 63А; 300Вт; PG-TO262-3..
по запросу
IPI111N15N3GAKSA1 Транзистор: МОП n-канальный, полевой, 150В, 83А, 214Вт, PG-TO262-3
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 150В; 83А; 214Вт; PG-TO262-3..
по запросу