IXYS | Страница: 29
Корпорация IXYS основана в 1983 году в Силиконовой долине в городе Милпитас, Калифорния, США. IXYS производит силовые полупроводниковые приборы и технологий для эффективного преобразования энергии.
В продукцию IXYS входят силовые полупроводниковые приборы: MOSFET-транзисторы; — n-канальные — p-канальные; высокочастотные линейные и импульсные; MOSFET-модули; IGBT-транзисторы; IGBT-модули; диоды и диодные модули; выпрямительные; шоттки; быстро восстанавливающиеся; тиристоры и тиристорные модули.
Область применения продукции IXYS: управление электродвигателями; источники питания; электросварочное оборудование; зарядные устройства; электроэнергетика; источники альтернативной энергии; телекоммуникации; медицинское оборудование; бытовая электроника; автомобильная промышленность.
[ Без категории ]
IXFN230N20T
Модуль; одиночный транзистор; Uds: 200В; Id: 220А; SOT227B; винтами..
0.00 руб.
[ Без категории ]
IXFN240N15T2
Модуль; одиночный транзистор; 150В; 240А; SOT227B; Ugs: ±30В; 830Вт..
0.00 руб.
[ Без категории ]
IXFN240N25X3
Модуль; одиночный транзистор; 250В; 240А; SOT227B; Ugs: ±30В; 695Вт..
0.00 руб.
[ Без категории ]
IXFN24N100
Модуль; одиночный транзистор; Uds: 1кВ; Id: 24А; SOT227B; Ugs: ±20В..
0.00 руб.
[ Без категории ]
IXFN26N100P
Модуль; одиночный транзистор; 1кВ; 23А; SOT227B; Ugs: ±40В; винтами..
0.00 руб.
[ Без категории ]
IXFN26N120P
Модуль; одиночный транзистор; 1,2кВ; 23А; SOT227B; Ugs: ±40В; 695Вт..
0.00 руб.
[ Транзисторы с каналом N THT ]
IXFN27N80 - Транзистор: МОП n-канальный, полевой, 800В, 27А, 520Вт, SOT227B
Масса брутто: 0.05 kg Групповая упаковка [pcs]: 10 ..
0.00 руб.
[ Без категории ]
IXFN300N10P
Модуль; одиночный транзистор; 100В; 295А; SOT227B; Ugs: ±30В; 279нC..
0.00 руб.
[ Без категории ]
IXFN300N20X3
Модуль; одиночный транзистор; Uds: 200В; Id: 300А; SOT227B; винтами..
0.00 руб.
[ Без категории ]
IXFN30N120P
Модуль; одиночный транзистор; 1,2кВ; 30А; SOT227B; Ugs: ±40В; 890Вт..
0.00 руб.
[ Без категории ]
IXFN320N17T2
Модуль; одиночный транзистор; 170В; 260А; SOT227B; Ugs: ±30В; 640нC..
0.00 руб.
[ Без категории ]
IXFN32N100P
Модуль; одиночный транзистор; 1кВ; 27А; SOT227B; Ugs: ±40В; винтами..
0.00 руб.
[ Без категории ]
IXFN32N100Q3
Модуль; одиночный транзистор; 1кВ; 28А; SOT227B; Ugs: ±40В; винтами..
0.00 руб.
[ Без категории ]
IXFN32N120P
Модуль; одиночный транзистор; 1,2кВ; 32А; SOT227B; Ugs: ±40В; 360нC..
0.00 руб.
[ Без категории ]
IXFN32N80P
Модуль; одиночный транзистор; 800В; 29А; SOT227B; Ugs: ±40В; 625Вт..
0.00 руб.
[ Транзисторы с каналом N THT ]
IXFN340N07 - Транзистор: МОП n-канальный, полевой, 70В, 340А, 700Вт, SOT227B
Модуль; одиночный транзистор; Uds: 70В; Id: 340А; SOT227B; Ugs: ±30В..
6,179.94 руб.
[ Без категории ]
IXFN360N10T
Модуль; одиночный транзистор; Uds: 100В; Id: 360А; SOT227B; винтами..
0.00 руб.
[ Без категории ]
IXFN360N15T2
Модуль; одиночный транзистор; 150В; 310А; SOT227B; Ugs: ±30В; 715нC..
0.00 руб.
[ Без категории ]
IXFN36N100
Модуль; одиночный транзистор; 1кВ; 36А; SOT227B; Ugs: ±30В; винтами..
0.00 руб.
[ Без категории ]
IXFN38N100P
Модуль; одиночный транзистор; 1кВ; 38А; SOT227B; Ugs: ±40В; винтами..
0.00 руб.
[ Без категории ]
IXFN400N15X3
Модуль; одиночный транзистор; 150В; 400А; SOT227B; Ugs: ±30В; 695Вт..
0.00 руб.
[ Без категории ]
IXFN40N110P
Модуль; одиночный транзистор; 1,1кВ; 34А; SOT227B; Ugs: ±40В; 890Вт..
0.00 руб.
[ Без категории ]
IXFN40N110Q3
Модуль; одиночный транзистор; 1,1кВ; 35А; SOT227B; Ugs: ±40В; 960Вт..
0.00 руб.
[ Без категории ]
IXFN40N90P
Модуль; одиночный транзистор; 900В; 33А; SOT227B; Ugs: ±40В; 695Вт..
0.00 руб.
[ Без категории ]
IXFN420N10T
Модуль; одиночный транзистор; Uds: 100В; Id: 420А; SOT227B; винтами..
0.00 руб.
[ Без категории ]
IXFN44N100P
Модуль; одиночный транзистор; 1кВ; 37А; SOT227B; Ugs: ±40В; винтами..
0.00 руб.
[ Без категории ]
IXFN44N100Q3
Модуль; одиночный транзистор; 1кВ; 38А; SOT227B; Ugs: ±40В; винтами..
0.00 руб.
[ Транзисторы с каналом N THT ]
IXFN44N80 - Транзистор: МОП n-канальный, полевой, 800В, 44А, 700Вт, SOT227B
Масса брутто: 0.154 mg Групповая упаковка [pcs]: 1 ..
0.00 руб.
[ Без категории ]
IXFN44N80P
Модуль; одиночный транзистор; Uds: 800В; Id: 39А; SOT227B; Ugs: ±30В..
0.00 руб.
[ Без категории ]
IXFN44N80Q3
Модуль; одиночный транзистор; 800В; 37А; SOT227B; Ugs: ±40В; 780Вт..
0.00 руб.