INFINEON TECHNOLOGIES | Страница: 72

INFINEON TECHNOLOGIES | Страница: 72

Infineon Technologies AG - крупнейший производитель полупроводниковой продукции: силовая электроника (IGBT, тиристорные, диодные модули и т.п.); промышленная электроника (микроконтроллеры, дискретные силовые); автомобильная электроника (микроконтроллеры, сенсоры, заказные БИС); проводные телекоммуникации (SHDSL, ADSL2+, VoIP, VDSL и т.п.); беспроводные телекоммуникации (GSM, GPS, WiFi, и т.п.); специализированные микросхемы для чип карт (с контактным и радиочастотным интерфейсом, RFID микросхемы).


Сравнение товаров (0)


IPD60R170CFD7
[ Без категории ]

IPD60R170CFD7

Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 9А; 76Вт; PG-TO252-3..

0.00 руб.

IPD60R280CFD7
[ Без категории ]

IPD60R280CFD7

Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 6А; 51Вт; PG-TO252-3..

0.00 руб.

IPD60R280P7
[ Без категории ]

IPD60R280P7

Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 8А; 53Вт; PG-TO252-3..

0.00 руб.

IPD60R280P7S
[ Без категории ]

IPD60R280P7S

Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 8А; 53Вт; PG-TO252-3..

0.00 руб.

IPD60R360P7
[ Без категории ]

IPD60R360P7

Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 6А; 41Вт; PG-TO252-3..

0.00 руб.

IPD60R600P7
[ Без категории ]

IPD60R600P7

Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 4А; 30Вт; PG-TO252-3..

0.00 руб.

IPD65R250C6XTMA1
[ Транзисторы с каналом N SMD ]

IPD65R250C6XTMA1 Транзистор: МОП n-канальный, полевой, 650В, 16,1А, 208,3Вт

Транзистор: N-MOSFET; полевой; 650В; 16,1А; 208,3Вт; PG-TO252-3..

0.00 руб.

IPD65R250E6XTMA1
[ Транзисторы с каналом N SMD ]

IPD65R250E6XTMA1 Транзистор: N-MOSFET, полевой, 650В, 16,1А, 208Вт, PG-TO252-3

Транзистор: N-MOSFET; полевой; 650В; 16,1А; 208Вт; PG-TO252-3..

0.00 руб.

Показано с 2131 по 2160 из 3197 (Всего страниц: 107)

Материалы на сайте носят информационный характер, не является публичной офертой