AS6C1616A-55BIN - Микросхема памяти, SRAM, 1024x16бит, 3÷3,6В, 55нс, TFBGA48

Память; SRAM,асинхронная; 1024x16бит; 3÷3,6В; 55нс; TFBGA48

Файлы документации

Характеристики

Общие
Вид памяти SRAM
Время доступа 55нс
Емкость памяти 16Мбит
Код завода AS6C1616A-55BIN
Корпус TFBGA48
Монтаж SMD
Рабочее напряжение 3...3.6В
Структура памяти 1024x16бит
Тип микросхемы микросхема памяти
  • Производитель: ALLIANCE MEMORY
  • Модель: AS6C1616A-55BIN
  • Цена от
Количество:

Материалы на сайте носят информационный характер, не является публичной офертой