AS6C1616-70BIN - Микросхема памяти, SRAM, 1024x16бит, 3÷3,6В, 70нс, TFBGA48

Память; SRAM,асинхронная; 1024x16бит; 3÷3,6В; 70нс; TFBGA48

Характеристики

Общие
Вид памяти SRAM
Время доступа 70нс
Емкость памяти 16Мбит
Код завода AS6C1616-70BIN
Корпус TFBGA48
Монтаж SMD
Рабочее напряжение 3...3.6В
Структура памяти 1024x16бит
Тип микросхемы микросхема памяти
  • Цена от
Количество:

Материалы на сайте носят информационный характер, не является публичной офертой