AS6C1008-55BINTR - Микросхема памяти, synchronous, SRAM, 128Кx8бит, 2,7÷5,5В, 55нс

Память; SRAM,асинхронная; 128Кx8бит; 2,7÷5,5В; 55нс; TFBGA36

Файлы документации

Характеристики

Общие
Вид памяти SRAM
Время доступа 55нс
Емкость памяти 1Мбит
Код завода AS6C1008-55BINTR
Корпус TFBGA36
Монтаж SMD
Рабочее напряжение 2.7...5.5В
Структура памяти 128Кx8бит
Тип микросхемы synchronous
Характерные особенности low power
  • Производитель: ALLIANCE MEMORY
  • Модель: AS6C1008-55BINTR
  • Цена от
Количество:

Материалы на сайте носят информационный характер, не является публичной офертой