Transistor kind

Вид упаковки

Заряд затвора

Конструкция диода

Корпус

Монтаж

Мощность

Напряжение затвор-исток

Напряжение сток-исток

Полярность

Сопротивление в открытом состоянии

Тепловое сопротивление переход-среда

Технология

Тип транзистора

Ток стока

Производитель

Транзисторы многоканальные | Страница: 6

Транзисторы многоканальные | Страница: 6 - 100x100

Сравнение товаров (0)


AP9930AGM-HF-3TR - 190x210

AP9930AGM-HF-3TR - Транзистор: МОП n/p-канальный, полевой, 30В, 5,2А, 1,38Вт, SO8

Масса брутто: 0.43 g Групповая упаковка [pcs]: 3000 ..

по запросу



AP9930GM-HF-3TR - 190x210

AP9930GM-HF-3TR - Транзистор: МОП n/p-канальный, полевой, 30В, 5,5А, 1,38Вт, SO8

Масса брутто: 0.43 g Групповая упаковка [pcs]: 3000 ..

по запросу



AP9936GM-HF-3TR - 190x210

AP9936GM-HF-3TR - Транзистор: МОП n-канал.x2, полевой, 30В, 5А, 2Вт, SO8

Масса брутто: 0.43 g Групповая упаковка [pcs]: 3000 ..

по запросу



AP9971GM-HF-3TR - 190x210

AP9971GM-HF-3TR - Транзистор: МОП n-канал.x2, полевой, 60В, 5А, 2Вт, SO8

Масса брутто: 0.43 g Групповая упаковка [pcs]: 3000 ..

по запросу



AP9976GM-HF-3TR - 190x210

AP9976GM-HF-3TR - Транзистор: МОП n-канал.x2, полевой, 60В, 6,5А, 2Вт, SO8

Масса брутто: 0.43 g Групповая упаковка [pcs]: 3000 ..

по запросу



AUIRF7103Q - 190x210

AUIRF7103Q - Транзистор: МОП n-канал.x2, полевой, 50В, 3А, 2,4Вт, SO8

Масса брутто: 0.19 g Групповая упаковка [pcs]: 95 ..

по запросу



AUIRF7103QTR - 190x210

AUIRF7103QTR - Транзистор: МОП n-канал.x2, полевой, HEXFET, 50В, 3А, 2,4Вт, SO8

Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 50В; 3А; 2,4Вт; SO8..

по запросу



AUIRF7309Q - 190x210

AUIRF7309Q - Транзистор: МОП n/p-канальный, полевой, HEXFET, 30В, -4А, 1,4Вт

Масса брутто: 0.16 g Групповая упаковка [pcs]: 95 ..

по запросу



AUIRF7309QTR - 190x210

AUIRF7309QTR - Транзистор: МОП n/p-канальный, полевой, HEXFET, 30В, 4А, 1,4Вт, SO8

Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; 30/-30В; 4/-3А; 1,4Вт; SO8..

по запросу



AUIRF7316QTR - 190x210

AUIRF7316QTR - Транзистор: МОП р-канал.x2, полевой, HEXFET, -30В, -4,9А, 2Вт, SO8

Транзистор: P-MOSFET x2; полевой; -30В; -4,9А; 2Вт; SO8..

по запросу



AUIRF7319Q - 190x210

AUIRF7319Q - Транзистор: МОП n/p-канальный, полевой, HEXFET, 30В, 6,5А, 2Вт, SO8

Масса брутто: 0.43 g Групповая упаковка [pcs]: 95 ..

по запросу



AUIRF7319QTR - 190x210

AUIRF7319QTR - Транзистор: МОП n/p-канальный, полевой, HEXFET, 30В, 6,5А, 2Вт, SO8

Масса брутто: 0.56 g Групповая упаковка [pcs]: 30 ..

по запросу



AUIRF7341QTR - 190x210

AUIRF7341QTR - Транзистор: МОП n-канал.x2, полевой, HEXFET, 55В, 5,1А, 2,4Вт, SO8

Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 55В; 5,1А; 2,4Вт; SO8..

по запросу



AUIRF7343QTR - 190x210

AUIRF7343QTR - Транзистор: МОП n/p-канальный, полевой, HEXFET, 55В, 65А, 4,7Вт

Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; 55/-55В; 4,7/-3,4А; 4,7Вт; SO8..

по запросу



AUIRF7379Q - 190x210

AUIRF7379Q - Транзистор: МОП n/p-канальный, полевой, HEXFET, 30В, 4,8А, 2,5Вт

Масса брутто: 0.43 g Групповая упаковка [pcs]: 95 ..

по запросу



AUIRF7379QTR - 190x210

AUIRF7379QTR - Транзистор: МОП n/p-канальный, полевой, HEXFET, 30В, 4,8А, 2,5Вт

Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; 30/-30В; 5,8/-4,3А; 2,5Вт; SO8..

по запросу



AUIRF9952Q - 190x210

AUIRF9952Q Транзистор: МОП n/p-канальный, полевой, HEXFET, 30В, 3,5/-2,3А

Масса брутто: 0.19 g Групповая упаковка [pcs]: 95 ..

по запросу



AUIRF9952QTR - 190x210

AUIRF9952QTR - Транзистор: МОП n/p-канальный, полевой, HEXFET, 30В, 3,5А, 2Вт, SO8

Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; 30/-30В; 3,5/-2,3А; 2Вт; SO8..

по запросу



BSD235CH6327XTSA1 - 190x210

BSD235CH6327XTSA1 Транзистор: МОП n/p-канальный, 20/-20В, 0,95/-0,53А, 0,5Вт

Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; 20/-20В; 0,95/-0,53А; 0,5Вт..

10.14 руб.



BSL215CH6327XTSA1 - 190x210

BSL215CH6327XTSA1 Транзистор: МОП n/p-канальный, 20/-20В, 1,5/-1,5А, 0,5Вт

Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; 20/-20В; 1,5/-1,5А; 0,5Вт..

21.84 руб.



BSL308CH6327XTSA1 - 190x210

BSL308CH6327XTSA1 Транзистор: МОП n/p-канальный, 30/-30В, 2,3/-2А, 0,5Вт, Ugs: ±20В

Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; 30/-30В; 2,3/-2А; 0,5Вт..

по запросу



BSL316CH6327XTSA1 - 190x210

BSL316CH6327XTSA1 Транзистор: МОП n/p-канальный, 30/-30В, 1,4/-1,5А, 0,5Вт

Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; 30/-30В; 1,4/-1,5А; 0,5Вт..

21.84 руб.



BSO612CVGHUMA1 - 190x210

BSO612CVGHUMA1 Транзистор: МОП n/p-канальный, 60/-60В, 3/-2А, 2Вт, PG-DSO-8,SO8

Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; 60/-60В; 3/-2А; 2Вт; PG-DSO-8..

71.76 руб.



BSO615CGHUMA1 - 190x210

BSO615CGHUMA1 Транзистор: МОП n/p-канальный, 60/-60В, 3,1/-2А, 2Вт, SIPMOS™

Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; 60/-60В; 3,1/-2А; 2Вт; PG-DSO-8..

77.22 руб.



BSS8402DW-7-F - 190x210

BSS8402DW-7-F Транзистор: N/P-MOSFET, полевой, -50/60В, -130/115мА, 200мВт

Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; комплементарная пара; 60/-50В..

17.94 руб.



BSZ15DC02KDHXTMA1 - 190x210

BSZ15DC02KDHXTMA1 Транзистор: МОП n/p-канальный, 20/-20В, 5,1/-3,2А, 2,5Вт

Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; 20/-20В; 5,1/-3,2А; 2,5Вт..

по запросу



DMC2004DWK-7 - 190x210

DMC2004DWK-7 Транзистор: N/P-MOSFET, полевой, -20/20В, -540/430мА, 250мВт

Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; комплементарная пара; 20/-20В..

по запросу



DMC2004LPK-7 - 190x210

DMC2004LPK-7 Транзистор: N/P-MOSFET, полевой, -20/20В, -750/600мА, 500мВт

Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; комплементарная пара; 20/-20В..

по запросу



DMC2004VK-7 - 190x210

DMC2004VK-7 Транзистор: N/P-MOSFET, полевой, -20/20В, -670/530мА, 400мВт

Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; комплементарная пара; 20/-20В..

по запросу



DMC2020USD-13 - 190x210

DMC2020USD-13 Транзистор: N/P-MOSFET, полевой, -20/20В, -7,8/6,3А, 1,8Вт, SO8

Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; комплементарная пара; 20/-20В..

по запросу



Показано с 151 по 180 из 332 (Всего страниц: 12)

Материалы на сайте носят информационный характер, не является публичной офертой