Версия

Динамическое сопротивление

Импульсный ток

Конструкция диода

Корпус

Монтаж

Номинальный ток

Обратное напряжение макс.

Падение напряжения макс.

Принципиальная схема

Прямой ток

Прямой ток макс.

Размеры

Технология

Тип модуля

Тип полупроводникового элемента

Ток управления

Электрический монтаж

Производитель

Модули диодно-тиристорные | Страница: 5

Модули диодно-тиристорные | Страница: 5 - 100x100

Сравнение товаров (0)


TD500N12KOF - 190x210

TD500N12KOF Модуль: диодно-тиристорный, 1,2кВ, If:900А, винтами, BG-PB60AT-1

Модуль; два последовательных диода; 1,2кВ; 500А; BG-PB60AT-1..

по запросу



TD500N16KOF - 190x210

TD500N16KOF Модуль: диодно-тиристорный, 1,6кВ, If:900А, винтами, BG-PB60AT-1

Модуль; два последовательных диода; 1,6кВ; 500А; BG-PB60AT-1..

по запросу



TD500N18KOF - 190x210

TD500N18KOF Модуль: диодно-тиристорный, 1,8кВ, If:900А, винтами, BG-PB60AT-1

Модуль; два последовательных диода; 1,8кВ; 500А; BG-PB60AT-1..

по запросу



TD61N16KOF - 190x210

TD61N16KOF Модуль: диодно-тиристорный, 1,6кВ, If:120А, винтами, BG-PB20-1

Модуль; два последовательных диода; 1,6кВ; 61А; BG-PB20-1..

по запросу



TD92N16KOF - 190x210

TD92N16KOF Модуль: диодно-тиристорный, 1,6кВ, If:160А, винтами, BG-PB20-1

Модуль; два последовательных диода; 1,6кВ; 92А; BG-PB20-1..

по запросу



VS-P105W - 190x210

VS-P105W Модуль: диодно-тиристорный, 1,2кВ, If:25А, винтами, Igt:60мА

Управляемый диодный мост; Urmax: 1,2кВ; If: 25А; Igt: 60мА; винтами..

9,274.98 руб.



VUM33-05N - 190x210

VUM33-05N - Диодный мост, 500В, 47А, MOSFET

Модуль; диод/транзистор; 500В; 33А; V1-B-Pack; Ugs: ±20В; винтами..

9,538.62 руб.



Показано с 121 по 128 из 128 (Всего страниц: 5)

Материалы на сайте носят информационный характер, не является публичной офертой